FOR 2093

Neue FOR2093 Publikation der Teilprojekte A1, B2 & B1

Correlation between sputter deposition parameters and I-V characteristics in double-barrier memristive devices

Der Einfluss des Depositionsprozesses von memrsitives Bauteil mit Doppelbarriere (engl.: double-barrier memristive device, DBMD) auf des memristive Schaltverhalten wird untersucht. Kritische Parameter des Prozessplasmas der Dünnschichtabscheidung, wie z.B. das Floating-Potential, die Elektronentemperatur und der Energiefluss zum Substrat, werden mit der individuellen I-V Charaktersitik von DBMDs korreliert. Die Resultate der Plasmadiagnostik werden mit Transmissionselektronenmikroskopie / Elektronenenergieverlustspektroskopie (TEM / EELS) und kinetischen Monte Carlo Simulationen kombinert. Die Ergebnisse könnten zu einem neuen Weg der Entwicklung von memristiven Bauteilen unter Berücksichtigung des Prozessplasmas führen, die für spezifische Anwendungen maßgeschneidert werden.