FOR 2093

Neue FOR2093 Publikation der Teilprojekte B1 & A1

Filament Growth and Resistive Switching in Hafnium Oxide Memristive Devices

Kinetische Monte Carlo Simulationsmodelle werden verwendet, um das resistive Schalten von RRAM Bauteilen basierend auf HfO2 zu untersuchen. Die Modelle sind gekoppelt an das simulierte elektrische Feld. Außerdem werden verschiedene Stromtransportmechanismen berücksichtigt. Die numerischen Ergebnisse stimme sehr gut mit experimentell aufgenommenen Daten überein. Wichtige Bauteilparameter, die nur erschwert oder gar nicht experimentell zugänglich sind, können so berechnet werden (z.B. Form des leitenden Filaments, Breite des Filaments, Stromdichte, Temperaturverteilung).